變頻器用的GTR的維修
1、變頻器用的GTR一般都是達(dá)林頓晶體管（復(fù)合管）模塊建設應用，其內(nèi)部有三個(gè)極分別是集電極C優化程度、發(fā)射極E和基極B廣度和深度。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn)應用的因素之一，在晶體管旁還并聯(lián)了一個(gè)反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn)日漸深入，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
2強化意識、工作時(shí)狀態(tài)和普通晶體管一樣聽得進，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài)：⑴放大狀態(tài)起基本工作特點(diǎn)是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變Ic=βIb式中β－－－－－－GTR的電流放大倍數(shù)合理需求。GTR處于放大狀態(tài)時(shí)全技術方案，其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V先進水平，Rc=10Ω重要的，β=50，Ib=200mA（0.2A）計(jì)算如下：Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW⑵飽和狀態(tài)Ib增大時(shí)共享，Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約高端化。當(dāng)βIb>Uc/Rc時(shí)，Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了姿勢，這時(shí)充分發揮，GTR開始進(jìn)入“飽和"狀態(tài)。
而當(dāng)Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定重要平臺，即Ics≈Uc/Rc時(shí)相互融合，GTR便處于深度飽和狀態(tài)（Ics為飽和電流）。這時(shí)生動，GTR的飽和壓降Uces約為1-5V提單產。GTR處于飽和狀態(tài)時(shí)的功耗是很小的。上例中適應性強，Uces=2V的特性，則Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W可見，與放大狀態(tài)相比能力建設，相差甚遠(yuǎn)高效。⑶截止?fàn)顟B(tài)即關(guān)斷狀態(tài)先進的解決方案。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。在截止?fàn)顟B(tài)領域，GTR只有很微弱的漏電流流過研究進展，因此，其功耗是微不足道的。GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的溝通機製，工作過程中，總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替大幅增加。所以平臺建設，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述服務延伸，如果GTR處于放大狀態(tài)先進技術，其功耗將增大達(dá)百北以上。
所以貢獻力量，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的合作。3.主要參數(shù)⑴在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)
①擊穿電壓Uceo和Ucex：能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的最小電壓∏熬?；鶚OB開路是用Uceo表示，B、E間接入反向偏壓時(shí)用Ucex表示進一步。在大多數(shù)情況下宣講手段，這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。②漏電流Iceo和Icex：截止?fàn)顟B(tài)下覆蓋範圍，從C極流向E極的電流一站式服務。B極開路時(shí)為Iceo，B前沿技術、E間反偏時(shí)為Icex支撐作用。⑵在飽和狀態(tài)時(shí)①集電極最大電流Icm：GTR飽和導(dǎo)通是的最大允許電流。②飽和壓降Uces：當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時(shí)深入交流，C解決、E間的電壓降。⑶在開關(guān)過程中①開通時(shí)間Ton：從B極通入正向信號電流時(shí)起動力，到集電極電流上升到0.9Ics所需要的時(shí)間不斷豐富。②關(guān)斷時(shí)間Toff：從基極電流撤消時(shí)起，至Ic下降至0.1Ics所需的時(shí)間開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率多種方式。通常同時，使用GTR做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz。4.變頻器用GTR的選用⑴Uceo通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。Uceo≥2廠2U在電源電壓為380V的變頻器中幅度，應(yīng)有Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V技術創新，故選用Uceo=1200V的GTR是適宜的。
⑵Icm按額定電流In峰值的2倍來選擇Icm≥2廠2InGTR是用電流信號進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的各有優勢，所需驅(qū)動(dòng)功率較大高質量，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高力量，這是其不足之處可靠。今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT1、功率場效應(yīng)晶體管（POWERMOSFET）它的3個(gè)極分別是源極S方式之一、漏極D和柵極G其工作特點(diǎn)是我有所應，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs質生產力。改變Ugs的大小機構，主電路的漏極電流Id也跟著改變非常激烈。由于G提升行動、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0技術交流，所需驅(qū)動(dòng)功率很小交流。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡單關註，工作頻率也比較高溝通協調。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好提供堅實支撐、安全工作區(qū)大等優(yōu)點(diǎn)活動。但是，功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢創造更多，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位還不大。2、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物連日來，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管保障性，它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G信息化技術。工作特點(diǎn)是領先水平，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高責任製，柵極電流I≈0效率，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I增強。至今薄弱點，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A精準調控，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上效高。此外，其工作頻率可達(dá)20KHZ優化程度。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上廣度和深度，故電動(dòng)機(jī)的電源波形比較平滑，基本無電磁噪聲基礎。
目前日漸深入，在新系列的中小容量變頻器中，IGBT已處于絕對優(yōu)勢的地位引領作用！最近市場出現(xiàn)智能性模塊預期，模塊中包含了過電流、過電壓、低電壓加強宣傳、過熱等保護(hù)，我也相信在今后的發(fā)展中能和大家一起學(xué)習(xí)對外開放，共同維護(hù)好我們的使命互動式宣講！$如果要正確的使用變頻器,必須認(rèn)真地考慮散熱的問題.！Ｓ玫氖嫘?〗Y構！變頻器的故障率隨溫度升高而成指數(shù)的上升。使用壽命隨溫度升高而成指數(shù)的下降模式。環(huán)境溫度升高10度效果較好，變頻器使用壽命減半。因此貢獻，我們要重視散熱問題皬V泛應用。?/span>
