1．1接 觸電阻 因機(jī)械壓力使兩導(dǎo)體接觸對(duì)外呈現(xiàn)的電阻特 性稱(chēng)為接觸電阻聽得懂，如接插件、電位器協調機製、繼電器設備製造、微動(dòng) 開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)等。該部位的雜質(zhì)污染高質量發展、疲勞重要的、磨損、氧化 等會(huì)引起接觸電阻的變大共享，較小的毫伏高端化、毫安級(jí)的 電信號(hào)無(wú)法完全擊穿氧化膜，等于串入阻值不穩(wěn) 定的電阻姿勢，會(huì)使信號(hào)無(wú)規(guī)律衰減使電路無(wú)法進(jìn)行 正常工作狀態(tài)充分發揮。 當(dāng)電位器阻值調(diào)小時(shí)單位面積上承受功率將 加大，會(huì)損壞滑片觸點(diǎn)重要平臺，接觸電阻發(fā)生變化相互融合，致使 負(fù)反饋信號(hào)產(chǎn)生干擾脈沖，儀器無(wú)法正常工作生動。焊 接工藝不 良或發(fā)熱嚴(yán)重的元器件熱脹冷縮會(huì)產(chǎn)生 虛焊型接觸電阻變化提單產，使設(shè)備儀器噪聲增加、無(wú)規(guī) 律綠色化、不穩(wěn)定的間歇性工作設計，對(duì)數(shù)字電路而言短的通 斷時(shí)間也會(huì)影響工作狀態(tài)創新能力。 

1-2溫度因素 溫度對(duì)半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)和可靠性有直 接關(guān)系。隨溫度增加晶體管的跨導(dǎo)或增益會(huì)下降應用的選擇， 安全區(qū)和穩(wěn)定區(qū)也會(huì)隨之下降[4]效率。由晶體管反向 電流公式： 其中，厶( )為溫度 時(shí)的反向飽和電流逐漸顯現，十大行動，sf"為 溫度上升到 時(shí)的反向飽和電流，可知三極管溫 度上升 10°C著力增加，反向電流將增加 l倍體系，工作在較高電壓下的濾波電容，漏 電流將增 大引起自身發(fā)熱而較易損壞背景下。離發(fā)熱元件較近的 電容器因長(zhǎng)期受熱電解液干涸造成容量下降平臺建設，引 發(fā)軟故障。電解電容器的壽命與溫度存在指數(shù)級(jí) 關(guān)系服務延伸，軟故障產(chǎn)生時(shí)電壓下降微小或不下降先進技術，但產(chǎn) 生的紋波、噪聲增大導(dǎo)致故障貢獻力量。 溫度因素對(duì) AID合作、D／A轉(zhuǎn)換、DSP前景、計(jì)算機(jī)南北 橋芯片等需要高速大量運(yùn)算的大規(guī)模集成電路和功率器件影響明顯。當(dāng)為其散熱的部分出現(xiàn)老化 或風(fēng)道不暢時(shí)，溫度反饋回路能進(jìn)行判斷并啟動(dòng) 保護(hù)進一步，重新啟動(dòng)后溫度低于閾值會(huì)重新工作宣講手段，從而 呈現(xiàn)軟故障狀態(tài)。

1．3軟擊 穿 相對(duì)于器件的永久性失效發行速度，如開(kāi)路或短路造 成的硬擊穿表現(xiàn)不同，軟擊穿則是元件的性能降 低自動化，指標(biāo)參數(shù)降低而造成故障隱患高效。軟擊穿時(shí)電路 時(shí)好時(shí)壞進入當下，能輕載或低性能工作不易被發(fā)現(xiàn)。 軟擊穿多發(fā)于晶體管應用、MOS管解決方案、電容、變壓器 漆包線(xiàn)匝間短路等元器件成就。三極管軟擊穿時(shí)沒(méi)有 破壞 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)初步建立，擊穿條件消失后，PN結(jié)的功 能得到恢復(fù)或部分恢復(fù)。軟擊穿不易測(cè)量的原因 有兩種應用優勢，一是需加到一定的電壓時(shí)故障復(fù)現(xiàn)相對較高，二是 需達(dá)到一定溫度時(shí)故障復(fù)現(xiàn)，維修中常有使用萬(wàn) 用表檢測(cè)性能正常分享，裝回電路不能正常工作的情 況發(fā)生。輕微擊穿比如晶體管極間反向電阻變小便利性， 有漏電用萬(wàn)用表也不能檢測(cè)到開展研究。 電容充電后電壓升高，軟擊穿的電容產(chǎn)生短 路或呈低阻狀態(tài)信息化，電容電壓泄放后擊穿暫時(shí)復(fù)原力量， 容量隨之恢復(fù)正常，但裝回電路不能正常工作。

 1．4環(huán)境 變化 元件參數(shù)值隨時(shí)間方式之一、溫濕度、靜 電深刻認識、電磁輻射 等外界環(huán)境的變化首要任務，引起參數(shù)發(fā)生變化而導(dǎo)致軟 故障的出現(xiàn)。電容除開(kāi)路新型儲能、短路等硬性故障外還存 在參數(shù)變化軟故障的現(xiàn)象深入實施。腐蝕環(huán)境中，內(nèi)部引腳 接觸不良不同需求，通斷過(guò)程中會(huì)有噪音出現(xiàn)業務指導。絕緣電阻參 數(shù) ESR會(huì)隨環(huán)境發(fā)生變化，極間絕緣性能下降產(chǎn) 生漏電流發展空間，用在耦合時(shí)噪聲會(huì)增大創造性，用在濾波時(shí)直 流電壓會(huì)下降。 當(dāng)儀器 內(nèi)部的灰塵就此掀開、油污能力、潮濕等污染后，會(huì) 使泄漏電流和相鄰敷銅線(xiàn)間產(chǎn)生串繞和調(diào)頻電容 等參數(shù)改變總之，若發(fā)生在高電壓部分會(huì)產(chǎn)生放電還不大、打 火等現(xiàn)象影響其它部分工作。

2 軟故障的維修方法 發(fā)生軟故障的儀器設(shè)備中元器件連日來，簡(jiǎn)單使用 電子專(zhuān)用設(shè)備維護(hù)與維修 _ 電于專(zhuān)用 首維于尸與維1嗲 萬(wàn)用表特性、示波器往往效率不高，傳統(tǒng)的維修方法也 存在需改進(jìn)的地方流程，科學(xué)的檢測(cè)方法和模擬故障 環(huán)境能較好地解決維修中遇到的問(wèn)題共創輝煌。

 2．1科學(xué)的檢測(cè) 方法 軟擊穿元件拆機(jī)檢測(cè)或未通 電檢測(cè)時(shí)，其值 可能正常，但接回電路不能正常工作使用。傳統(tǒng)的測(cè)量 方法不易發(fā)現(xiàn)存在軟故障的元件，需有專(zhuān)用儀器 或檢測(cè)方法來(lái)解決軟故障元件的檢測(cè)。 虛焊或接插件觸點(diǎn)氧化進(jìn)行常規(guī) 目視判定困 難時(shí)可借助放大鏡建言直達。對(duì)于電位器的檢測(cè)時(shí)指針萬(wàn)用 表的響應(yīng)時(shí)間快于數(shù)字式多用表且直觀(guān)大幅拓展。晶體管圖 示儀可方便顯示極限特性、擊穿特性大部分、軟擊穿漏電 流等各項(xiàng)參數(shù)重要工具，而萬(wàn)用表的電壓為 9 V無(wú)法使軟擊 穿復(fù)現(xiàn)，因此圖示儀比萬(wàn)用表更利于發(fā)現(xiàn)軟故障更加堅強。 電容性能不 良提供有力支撐，電壓、外觀(guān)不一定變化配套設備，但會(huì) 在直流中疊加一定幅度的紋波發展成就。建議使用示波器 或者高頻毫伏表代替萬(wàn)用表完成對(duì)紋波 的測(cè)量， 測(cè)量漏 電流或軟擊穿時(shí)也可用 圖示儀直接觀(guān)察 V／I曲線(xiàn)建議，完成測(cè)量優勢。兆歐表對(duì)電容進(jìn)行檢測(cè)，若在 搖至電容的額定電壓前阻值有下降出現(xiàn)，則可證 明電容存在軟擊穿故障加強宣傳，此方法也可用檢測(cè)變壓 器的匝間短路。 存在軟擊穿的器件帶病工作時(shí)溫度高于正常 溫度對外開放，通過(guò)點(diǎn)溫計(jì)或紅外測(cè)溫槍對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量 能發(fā)現(xiàn)故障器件互動式宣講。

 2．2模 擬環(huán)境 法 某些接觸類(lèi)的故障在溫度、濕度用的舒心、振動(dòng)的環(huán)境 下表現(xiàn)明顯結構，模擬出故障環(huán)境可加速故障出現(xiàn)以 便于進(jìn)行觀(guān)察故障現(xiàn)象或測(cè)試數(shù)據(jù)。熱風(fēng)槍對(duì)溫 度要求較高或懷疑的元件進(jìn)行加溫模式，絕緣棒敲擊 震動(dòng)效果較好，加溫器增大濕度后再進(jìn)行測(cè)量或檢測(cè)故障 出現(xiàn)時(shí)的數(shù)據(jù)。排除環(huán)境因素可反證是否由此軟 故障引起服務，以調(diào)整維