變頻器的組成 

     通用變頻器的組成如圖 1所示帶動擴大，主要由主電路、控制電路和驅(qū)動(dòng)電路組成簡單化，主電路又由整流不負眾望、濾波電路、 制動(dòng)電路和逆變電路組成交流研討，控制電路由MCU微處理器 電路(MCU板)推動並實現、檢測(cè)電路等組成?。 主電路中的整流順滑地配合、濾波電路把三相 380 V的工頻 交流電整流濾波后得到 530 V平穩(wěn)的直流電壓更加完善；逆變 電路由六路逆變管(IGBT)組成，通過(guò)控制六個(gè)逆變管 輪流導(dǎo)通和關(guān)閉的時(shí)間上高質量，把 DC530V的直流電逆變成 電壓精準調控、頻率可調(diào)的三相交流電從而實(shí)現(xiàn)了主軸電動(dòng)機(jī) 的調(diào)速l2 ；制動(dòng)電路在主軸電機(jī)減速或停止時(shí)消耗電 機(jī)由電動(dòng)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榘l(fā)電狀態(tài)產(chǎn)生的能量建設應用，避免了主 電路的直流電壓升高而損壞主電路的元器件優化程度。圖 1中 的電阻 RF起限流作用，避免接通電源時(shí)電容的充電 電流過(guò)大燒毀整流功率管應用的因素之一，當(dāng)電容充電到80％時(shí)基礎，繼 電器的常開(kāi)觸點(diǎn)閉合短接電阻，避免變頻器正常運(yùn)行 時(shí)奮勇向前，電阻消耗功率引起直流電壓的下降引領作用。驅(qū)動(dòng)電路是把MCU板產(chǎn)生的六路 PWM信號(hào)放大后驅(qū)動(dòng)逆變 管 j，并負(fù)責(zé)逆變管的過(guò)流檢測(cè)和過(guò)流時(shí)關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信 號(hào)保護(hù)逆變管經驗。檢測(cè)電路主要有電壓檢測(cè)、電流檢測(cè) 和過(guò)熱檢測(cè)電路，電壓檢測(cè)電路是檢測(cè)整流濾波后的 直流電壓善於監督，把此電壓值送到 MCU主板程序中處理，一 方面用來(lái)顯示主電路的直流電壓豐富內涵，另一方面和程序中 的給定電壓值比較數據，判斷直流電壓是否在正常范圍內(nèi)效率和安， 當(dāng)主電路中的直流電壓過(guò)高或過(guò)低時(shí)，MCU主板會(huì)封 鎖逆變管的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)邁出了重要的一步，并會(huì)顯示過(guò)電壓或低電壓 報(bào)警產能提升。電流檢測(cè)電路用來(lái)檢測(cè)負(fù)載的電流，其作用和電 壓檢測(cè)電路一樣品牌，一方面用于顯示負(fù)載電流適應能力，另一方面 判斷電路是否有過(guò)流和短路，并在過(guò)流節點、短路時(shí)封鎖 PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)并顯示過(guò)流報(bào)警提高。過(guò)熱檢測(cè)電路主要用 來(lái)檢測(cè)逆變管散熱片的溫度，當(dāng)散熱風(fēng)扇不正常等原因 導(dǎo)致溫度升高時(shí)用上了，過(guò)熱檢測(cè)電路動(dòng)作使 MCU主板封鎖 逆變管的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)保護(hù)了逆變管因過(guò)熱而損壞結構。

     主電路的故障維修 變頻器主電路常見(jiàn)故障是逆變管(IGBT)損壞。 IGBT管損壞的主要原因有三：一是 IGBT管失效的特性、性能 變差競爭力所在，主要表現(xiàn)在導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻變大、耐壓值降低等高效，由 于元器件參數(shù)變化而不能正常工作屬于器件的正常損 壞先進的解決方案；二是濾波電容失效或漏電，電容失效后直流電壓的 脈動(dòng)變大領域，很容易使電動(dòng)機(jī)繞著的電感和濾波電容共 振研究進展，將產(chǎn)生很高的電壓把 IGBT管和整流管擊穿，IGBT 管擊穿后產(chǎn)生很大的沖擊電流會(huì)把IGBT管的驅(qū)動(dòng)電 路也損壞；三是 IGBT管的驅(qū)動(dòng)電路中柵極(G極)電 阻支路斷路體系流動性，電路斷路后IGBT截止時(shí)負(fù)壓加不到IG． BT的G、E極深度，在高電壓下會(huì)使截止的IGBT管導(dǎo)通并 和同一臂導(dǎo)通的IGBT管一起形成對(duì)電源回路的短路 而把 IGBT管損壞 j助力各行。IGBT管損壞的機(jī)理分析如下： 圖2是 IGBT管結(jié)電容等效圖。假設(shè) G2管的 R 柵電阻支路斷路帶來全新智能，G1受正向激勵(lì)導(dǎo)通互動互補，G2管的c2端子的電壓立馬跳為 DC530V電壓，此電壓對(duì) CG自主研發、GE間 的極間電容 C 和C ge兩只電容充電力度，在 G1導(dǎo)通期間， G2管受充電電流所驅(qū)動(dòng)也會(huì)導(dǎo)通意向，幾乎和 Gl管同時(shí) 導(dǎo)通持續發展，兩管共通形成了對(duì) DC530V電源短路，使 Gl、G2 管受強(qiáng)電流的沖擊而損壞合作。

     對(duì)變頻器的主電路的檢查除了檢查 IGBT管是否 擊穿外，還要著重檢查濾波電容容量是否變小和電容 漏電的情況。濾波電容的容量在數(shù)百微法以上勇探新路，用萬(wàn) 用表能檢測(cè)出其好壞長遠所需。萬(wàn)用表只能判斷出 IGBT管是 否擊穿短路，但不能檢測(cè) IGBT管的性能變差支撐作用。特設(shè) 計(jì)圖3所示的 IGBT性能檢測(cè)電路積極性。在電路中串兩只 25 W、~b220 V的燈泡的作用有二：一是通過(guò)觀察燈泡 發(fā)光來(lái)判斷是否有 IGBT擊穿短路解決，二是由于燈泡電 阻的降壓限流作用性能，即使逆變電路有短路故障，也可以 將主電路的電流限制在 100 mA內(nèi)取得明顯成效，避免 IGBT的損 壞基地。斷開(kāi)電動(dòng)機(jī)負(fù)載，變頻器上電啟動(dòng)接收運(yùn)行信號(hào)大力發展， 如果燈泡隨著頻率的上升同步閃爍發(fā)光約定管轄，那么存在同 一臂上的兩只 IGBT管有一只擊穿，擊穿的 IGBT和導(dǎo) 通的 IGBT一起形成了電源的供電回路集成技術，兩只燈泡對(duì) DC530 V直流電壓分壓而發(fā)光新創新即將到來。用指針式萬(wàn)用表的直 流 500 V檔測(cè)量同一橋臂上的兩只 IGBT管對(duì)直流電 壓(530 V)分壓的情況可以判斷出哪只 IGBT管擊穿， 測(cè)得 IGBT管 CE兩端的電壓為零的那只IGBT管就擊 穿了創新的技術。雖然 IGBT管耐電值下降設計能力，但萬(wàn)用表的表內(nèi)電 池電壓低(9 V)不能擊穿 IGBT管，這就是用萬(wàn)用筆檢 測(cè) IGBT管是好的有序推進，加壓檢適應性、?貝4 IGBT管就擊穿的原因。 如果接收運(yùn)行信號(hào)深入開展，燈泡不亮更優美，說(shuō)明IGBT管沒(méi)有擊 穿，但 IGBT管導(dǎo)通內(nèi)阻是否正常還需要用指針式萬(wàn) 用表的直流 500 V檔測(cè)量每個(gè)臂上的兩只 IGBT管分 壓情況，以圖3中的 U相為例更為一致，若兩個(gè) IGBT管導(dǎo)通阻正常，U端子對(duì) P堅定不移、N兩點(diǎn)的電壓相等約為260 V落地生根，如 果測(cè)得 u端子對(duì)